Väitös puolijohdeteknologian alalta, M.Sc.(Tech.) Haibing Huang
Väitöksen nimi on “High Efficiency Industrial p-type PERC and PERT Crystalline Silicon Solar Cells: Boron Junction Doping and Surface Passivation”
Milloin
–
Missä
Tapahtuman kieli
englanti
Väitöstilaisuus järjestetään etäyhteydellä Zoomissa, jonne voi liittyä vapaasti.
Linkki: https://aalto.zoom.us/j/65812822007
Vastaväittäjänä toimii professori Isidro Martin, Universitat Politècnica de Catalunya, Espanja
Valvojana on professori Hele Savin Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulun, elektroniikan ja nanotekniikan laitokselta.
Väittelijän yhteystiedot: Haibing Huang, elektroniikan ja nanotekniikan laitos, [email protected], +8615850677052
Väitöskirja on julkisesti nähtävillä 10 päivää ennen väitöstä: https://aaltodoc.aalto.fi/doc_public/eonly/riiputus/
- Julkaistu:
- Päivitetty: