Optoelektroniikka
Optoelektroniikan ryhmä on osa Aalto-yliopiston elektroniikan ja nanotekniikan laitosta. Ryhmä toimii nanovalmistuksen Micronova-tutkimuskeskuksessa. Optoelektroniikan ryhmä tutkii puolijohdemateriaaleja, optoelektronisia komponentteja ja fotoniikkaa (esim. optisia kuituja). Tutkimusta tehdään yhteistyössä ulkomaisten yliopistojen, VTT:n ja teollisuuden kanssa. Optoelektroniikan ryhmän vastuulla on myös ensimmäisen vuoden fysiikan opetus AUT-, BioIT- ja EST-ohjelmissa sekä NanoRAD-maisteriohjelman opetus kokonaisuudessaan.
Group members
Latest publications
Enhanced Specific Detectivity and UV-to-Visible Rejection-Ratio of Visible-Blind Metal– Semiconductor–Metal Photodetectors, Based on Epitaxial GaN/Si(111)
Pinki Pal, Amadeep Kaur, Sami Suihkonen, Jori Lemettinen, A. Laha, Subhabrata Dhar, Suddhasatta Mahapatra
2023
IEEE Transactions on Electron Devices
Effect of atomic layer annealing in plasma-enhanced atomic layer deposition of aluminum nitride on silicon
H Seppanen, I Prozheev, C Kauppinen, S Suihkonen, K Mizohata, H Lipsanen
2023
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A
Back-Contacted Carrier Injection for Scalable GaN Light Emitters
Iurii Kim, Christoffer Kauppinen, Ivan Radevici, Pyry Kivisaari, Jani Oksanen
2022
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing
Hironori Okumura, Yasuhiro Watanabe, Tomohiko Shibata, Kohei Yoshizawa, Akira Uedono, Hiroki Tokunaga, Shuuichi Koseki, Tadanobu Arimura, Sami Suihkonen, Tomás Palacios
2022
Japanese Journal of Applied Physics
High-Detectivity Ultraviolet Photodetectors with Epitaxial GaN on Si(111)
Pinki Pal, Bhupesh Bhardwaj, Robin Dahiya, Sami Suihkonen, Jori Lemettinen, Apurba Laha, Dinesh Kabra, Suddhasatta Mahapatra
2022
2022 IEEE International Conference on Emerging Electronics, ICEE 2022
A Highly Sensitive and Robust GaN Ultraviolet Photodetector Fabricated on 150-mm Si (111) Wafer
Ravindra Singh Pokharia, Ritam Sarkar, Shivam Singh, Swarup Deb, Sami Suihkonen, Jori Lemettinen, Subhabrata Dhar, Dinesh Kabra, Apurba Laha
2021
IEEE Transactions on Electron Devices
Epi-Gd₂O₃-MOSHEMT: A Potential Solution Toward Leveraging the Application of /Si AlGaN/GaNHEMT With Improved ION/IOFF Operating at 473 K
Ritam Sarkar, Bhanu B. Upadhyay, Swagata Bhunia, Ravindra S. Pokharia, Dhiman Nag, S. Surapaneni, Jori Lemettinen, Sami Suihkonen, Philipp Gribisch, Hans Jorg Osten, Swaroop Ganguly, Dipankar Saha, Apurba Laha
2021
IEEE Transactions on Electron Devices
Metalorganic vapor phase epitaxy of wurtzite InP nanowires on GaN
Christoffer Kauppinen, Tuomas Haggren, Harri Lipsanen, Markku Sopanen
2020
Applied Physics Letters
MOVPE growth of GaN on patterned 6-inch Si wafer
Iurii Kim, Joonas Holmi, Ramesh Raju, Atte Haapalinna, Sami Suihkonen
2020
Journal of Physics Communications
Improvements to epitaxial III-N field-effect transistor technology
Jori Lemettinen
2020
- Julkaistu:
- Päivitetty: