Elektronifysiikka
Elektronifysiikan ryhmä on osa Aalto-yliopiston elektroniikan ja nanotekniikan laitosta. Koulutus- ja tutkimustoimintamme keskittyy puolijohdemateriaaleihin ja laitteiden fysiikkaan. Tutkimusaiheet kattavat koko tieteen kirjon fysiikan perusilmiöistä huippuluokan sovelluksien kehittämiseen yhteistyössä teollisuuden johtavien toimijoiden kanssa. Nykyinen tutkimustoiminta keskittyy piipohjaisiin aurinkoenergiasovelluksiin, kehittyneeseen karakterisointiin ja nanovalmistustekniikoihin sekä piin vianetsintään. Micronova-nanovalmistuskeskuksen lisäksi käytämme maailmanlaajuisia tutkimusinfrastruktuureja yhteistyössä yliopiston ja teollisuuden yhteistyökumppanien kanssa.
Latest publications
Role of CsMnCl3 Nanocrystal Structure on Its Luminescence Properties
Anastasia Matuhina, G. Krishnamurthy Grandhi, Fang Pan, Maning Liu, Harri Ali-Löytty, Hussein M. Ayedh, Antti Tukiainen, Jan-Henrik Smått, Ville Vähänissi, Hele Savin, Jingrui Li, Patrick Rinke, Paola Vivo
2023
ACS Applied Nano Materials
Optoelectronic properties of black silicon fabricated by femtosecond laser in ambient air: exploring a large parameter space
Behrad Radfar, Kexun Chen, Olli Setälä, Ville Vähänissi, Hele Savin, Xiaolong Liu
2023
Optics Letters
Fast Wafer-Level Characterization of Silicon Photodetectors by Photoluminescence Imaging
Hussein Ayedh, Wisa Förbom, Juha Heinonen, Ismo T. S. Heikkinen, Marko Yli-Koski, Ville Vähänissi, Hele Savin
2022
IEEE Transactions on Electron Devices
Characterization of Heavily Irradiated Dielectrics for Pixel Sensors Coupling Insulator Applications
S. Bharthuar, M. Golovleva, M. Bezak, E. Brücken, A. Gädda, J. Härkönen, A. Karadzhinova-Ferrer, N. Kramarenko, S. Kirschenmann, P. Koponen, P. Luukka, K. Mizohata, J. Ott, E. Tuominen
2022
Frontiers in materials
(oral talk) Record-high UV response in implanted junctions through passivation of surface defects and minimisation of boron implantation damage
Kexun Chen, Olli Setälä, Behrad Radfar, Udo Kroth, Ville Vähänissi, Hele Savin
2022
Effect of anode sheet resistance on rise time of black silicon induced junction photodiodes
Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Ville Vähänissi, Toni P. Pasanen, Hele Savin, Mikko A. Juntunen
2022
SPIE Conference Proceedings
High-sensitivity photodiodes using black silicon and induced junction
Juha Heinonen
2022
(oral talk) Effect of anode sheet resistance on rise time of black silicon induced junction photodiodes
Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Ville Vähänissi, Toni Pasanen, Hele Savin, Mikko Juntunen
2022
(poster) Spatial uniformity of black silicon induced junction photodiode responsivity
Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Ville Vähänissi, Toni Pasanen, Hele Savin, Mikko Juntunen
2022
(poster) Reduction of defect density at Ge/Al2O3 interface using GeO2 interfacial layers
Joonas Isometsä, John Fung, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Marko Yli-Koski, Ville Vähänissi, Hele Savin
2022