Elektronifysiikka
Elektronifysiikan ryhmä on osa Aalto-yliopiston elektroniikan ja nanotekniikan laitosta. Koulutus- ja tutkimustoimintamme keskittyy puolijohdemateriaaleihin ja laitteiden fysiikkaan. Tutkimusaiheet kattavat koko tieteen kirjon fysiikan perusilmiöistä huippuluokan sovelluksien kehittämiseen yhteistyössä teollisuuden johtavien toimijoiden kanssa. Nykyinen tutkimustoiminta keskittyy piipohjaisiin aurinkoenergiasovelluksiin, kehittyneeseen karakterisointiin ja nanovalmistustekniikoihin sekä piin vianetsintään. Micronova-nanovalmistuskeskuksen lisäksi käytämme maailmanlaajuisia tutkimusinfrastruktuureja yhteistyössä yliopiston ja teollisuuden yhteistyökumppanien kanssa.
Latest publications
Understanding the multilevel phenomena that enables inorganic atomic layer deposition to provide barrier coatings for highly-porous 3-D printed plastic in vacuums
Nupur Bihari, Ismo T.S. Rauha, Giovanni Marin, Craig Ekstrum, Chathura de Alwis, Pierce J. Mayville, Hele Savin, Maarit Karppinen, Joshua M. Pearce
2023
Surface and Coatings Technology
Excellent Responsivity and Low Dark Current Obtained with Metal-Assisted Chemical Etched Si Photodiode
Kexun Chen, Olli Setälä, Xiaolong Liu, Behrad Radfar, Toni Pasanen, Michael Serue, Juha Heinonen, Hele Savin, Ville Vähänissi
2023
IEEE Sensors Journal
Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance
John Fung, Joonas Isometsä, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Pekka Laukkanen, Hele Savin, Ville Vähänissi
2023
Nanotechnology
Black ultra-thin crystalline silicon wafers reach the 4n2 absorption limit – application to IBC solar cells
Moises Garin, Toni Pasanen, G. López, Ville Vähänissi, Kexun Chen, I. Martín , Hele Savin
2023
Small
Spatial uniformity of black silicon induced junction photodiode responsivity
Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Ville Vähänissi, Toni P. Pasanen, Hele Savin, Juha Toivanen, Mikko A. Juntunen
2023
SPIE Conference Proceedings
Surface passivation of Germanium with ALD Al2O3: Impact of Composition and Crystallinity of GeOx Interlayer
Joonas Isometsä, Zahra Jahanshah Rad, John Fung, Hanchen Liu, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Mikko Miettinen, P. Laukkanen, K. Kokko, Hele Savin, Ville Vähänissi
2023
Crystals
Is Carrier Mobility a Limiting Factor for Charge Transfer in Tio2/Si Devices? A Study by Transient Reflectance Spectroscopy
Ramsha Khan, Hannu Pasanen, Harri Ali-Löytty, Hussein Ayedh, Jesse Saari, Ville Vähänissi, Mika Valden, Hele Savin, Nikolai V. Tkachenko
2023
Surfaces and Interfaces
Chemical Excitation of Silicon Photoconductors by Metal-Assisted Chemical Etching
Shengyang Li, Hussein M. Ayedh, Marko Yli-Koski, Ville Vähänissi, Hele Savin, Jani Oksanen
2023
Journal of Physical Chemistry C
Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon
Hanchen Liu, Toni Pasanen, John Fung, Joonas Isometsä, Oskari Leiviskä, Ville Vähänissi, Hele Savin
2023
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
(oral talk) Surface Passivation and Charge Transfer at TiO2/Si Interface
Xiaolong Liu, Ramsha Khan, Hannu Pasanen, Harri Ali-Löytty, Ville Vähänissi, Mika Valden, Nikolai V. Tkachenko, Hele Savin
2023
- Julkaistu:
- Päivitetty: