Elektronifysiikka
Elektronifysiikan ryhmä on osa Aalto-yliopiston elektroniikan ja nanotekniikan laitosta. Koulutus- ja tutkimustoimintamme keskittyy puolijohdemateriaaleihin ja laitteiden fysiikkaan. Tutkimusaiheet kattavat koko tieteen kirjon fysiikan perusilmiöistä huippuluokan sovelluksien kehittämiseen yhteistyössä teollisuuden johtavien toimijoiden kanssa. Nykyinen tutkimustoiminta keskittyy piipohjaisiin aurinkoenergiasovelluksiin, kehittyneeseen karakterisointiin ja nanovalmistustekniikoihin sekä piin vianetsintään. Micronova-nanovalmistuskeskuksen lisäksi käytämme maailmanlaajuisia tutkimusinfrastruktuureja yhteistyössä yliopiston ja teollisuuden yhteistyökumppanien kanssa.
Zhengjun Liu
Hele Savin Group
Chiara Modanese
Dept Electronics and Nanoeng.
Research Fellow
Jennifer Ott
Hele Savin Group
Juha Heinonen
Hele Savin Group
Navneet Kumar
Hele Savin Group
Iiro Hietanen
Hele Savin Group
Haibing Huang
Hele Savin Group
Latest publications
Dept Electronics and Nanoeng., Hele Savin Group
Dissociation and Formation Kinetics of Iron-Boron Pairs in Silicon after Phosphorus Implantation Gettering
Publishing year: 2019
PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
Hele Savin Group, Dept Electronics and Nanoeng., Harri Lipsanen Group
Passivation of Detector‐Grade FZ‐Si with ALD‐Grown Aluminium Oxide
Publishing year: 2019
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Hele Savin Group, Dept Electronics and Nanoeng.
Effect of MACE Parameters on Electrical and Optical Properties of ALD Passivated Black Silicon
Publishing year: 2019
IEEE Journal of Photovoltaics
Hele Savin Group, Dept Electronics and Nanoeng., Aalto Nanofab
Efficient passivation of low-reflectance MACE black silicon
Publishing year: 2019
Hele Savin Group, Dept Electronics and Nanoeng.
Low-temperature dark anneal as pre-treatment for LeTID in multicrystalline silicon
Publishing year: 2019
Solar Energy Materials and Solar Cells
Dept Electronics and Nanoeng., Hele Savin Group
Observation of Crystalline Oxidized Silicon Phase
Publishing year: 2019
Advanced Materials Interfaces
Hele Savin Group, Dept Electronics and Nanoeng.
Elimination of LID by Black Silicon
Publishing year: 2019
TaiyangNews
Dept Electronics and Nanoeng., Hele Savin Group, Harri Lipsanen Group
Low-Temperature Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of SiO 2 Using Carbon Dioxide
Publishing year: 2019
Nanoscale Research Letters
Dept Electronics and Nanoeng., Hele Savin Group
Boron Implanted Junction with In Situ Oxide Passivation and Application to p-PERT Bifacial Silicon Solar Cell
Publishing year: 2019
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science