Väitös mikro- ja nanotekniikan alalta, DI Perttu Sippola

Atomikerroskasvatustekniikka (engl. ALD) on ajanut muun muassa yhä pienenevien integroitujen piirien ja muistien valmistamista. Nämä sovellukset käyttävät yhä enemmän hyväkseen ALD-tekniikalle ominaista kykyä tuottaa tasalaatuisia ja nanometriluokan paksuisia ohutkalvoja 3D-pinnoille. Näiden hyötyjen takia ALD:llä on myös monia muita sovelluksia joissa sitä käytetään tai voidaan käyttää tulevaisuudessa tehokkaamman ja monipuolisemman teknologian hyödyksi.

Tämä väitöstyö käsittelee ALD-alumiininitridi and -alumiinioksidi/titaanioksidi ohutkalvoja. Erityisesti tutkimuksessa kartoitettiin ALD-prosessifaktoreita ja analysoitiin niiden materiaalien kasvu-, koostumus- ja ominaisuusvasteita. Jälkimmäiseen kuului esimerkiksi mekaanisia-, rakenteellisia- ja korroosioresistanssiominaisuuksia. Al2O3/TiO2 ohutkalvokerrostuksesta saatuja tuloksia voidaan käyttää hyväksi esimerkiksi teräksen tehokkaamman korroosiosuojauksen toteuttamisessa. ALD AlN:in tapauksessa tutkimus keskittyi ohutkalvojen prosessoitavuuteen ja niiden fundamentaalisiin ominaisuuksiin, mutta saatuja tuloksia voidaan mahdollisesti soveltavaa esimerkiksi tulevaisuuden sensorien materiaalien kasvatuksessa. Yleisesti väitöstyö voidaan nähdä teknologisesti vaikuttavana sen esittäessä uusia tuloksia merkittävistä ja laajasti tunnustetuista ALD prosesseista ja materiaaleista.  

Vastaväittäjänä toimii professori Mustafa Alevli, Marmara University, Turkki

Valvojana on professori Harri Lipsanen, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, elektroniikan ja nanotekniikan laitos.

Väitöksen verkkosivu
Väittelijän yhteystiedot: Perttu Sippola, [email protected], +358 40 841 3575

Väitöstiedote