Oskari Leiviskä

Väitöskirjatutkija
Väitöskirjatutkija
T411 Dept. Electronics and Nanoeng
Full researcher profile
https://research.aalto.fi/...
Sähköposti
[email protected]

Tutkimusryhmät

  • Hele Savin Group, Doctoral Researcher

Julkaisut

(poster) ALD SiO2 provides efficient Ge surface passivation with a tailorable charge polarity

Oskari Leiviskä, Hanchen Liu, John Fung, Joonas Isometsä, Ville Vähänissi, Hele Savin 2024

Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance

John Fung, Joonas Isometsä, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Pekka Laukkanen, Hele Savin, Ville Vähänissi 2023 Nanotechnology

Surface passivation of Germanium with ALD Al2O3: Impact of Composition and Crystallinity of GeOx Interlayer

Joonas Isometsä, Zahra Jahanshah Rad, John Fung, Hanchen Liu, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Mikko Miettinen, P. Laukkanen, K. Kokko, Hele Savin, Ville Vähänissi 2023 Crystals

Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon

Hanchen Liu, Toni Pasanen, John Fung, Joonas Isometsä, Oskari Leiviskä, Ville Vähänissi, Hele Savin 2023 Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

(oral talk) Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium

Hanchen Liu, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka J. Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin 2023

Plasma-enhanced atomic layer deposited SiO2 enables positive thin film charge and surface recombination velocity of 1.3 cm/s on germanium

Hanchen Liu, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin 2023 Applied Physics Letters

Atomic Layer Deposition of Titanium Oxide-Based Films for Semiconductor Applications–Effects of Precursor and Operating Conditions

Vladyslav Matkivskyi, Oskari Leiviskä, Sigurd Wenner, Liu Hanchen, Ville Vahanissi, Hele Savin, Marisa Di Sabatino, Gabriella Tranell 2023 Materials

(poster) Reduction of defect density at Ge/Al2O3 interface using GeO2 interfacial layers

Joonas Isometsä, John Fung, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Marko Yli-Koski, Ville Vähänissi, Hele Savin 2022

(oral talk) Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer

Hanchen Liu, Toni Pasanen, Tsun Hang Fung, Joonas Isometsä, Oskari Leiviskä, Ville Vähänissi, Hele Savin 2022